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標(biāo)簽 > NOR flash
NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù),是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
NOR Flash 的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP ,eXecute In Place),這樣應(yīng)用程序可以直接在Flash閃存內(nèi)運(yùn)行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR 的傳輸效率很高,在1~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益,但是很低的寫(xiě)入和擦除速度大大影響到它的性能。NAND的結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度,并且寫(xiě)入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于Flash的管理需要特殊的系統(tǒng)接口。通常讀取NOR的速度比NAND稍快一些,而NAND的寫(xiě)入速度比NOR快很多,在設(shè)計(jì)中應(yīng)該考慮這些情況。
物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)中Nor Flash的軟件設(shè)計(jì)分享_W25Q128的軟件設(shè)計(jì)方案
一 概述 W25Q128是一種NOR Flash芯片,掉電后數(shù)據(jù)不丟失的特點(diǎn)。 W25Q128FV陣列被組織成65,536個(gè)可編程頁(yè)面,每個(gè)頁(yè)面256字...
2024-09-26 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)NOR flash 341 0
nandflash和norflash的主要特點(diǎn)和區(qū)別
NAND Flash和NOR Flash都是基于浮柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Floating Gate FET)的結(jié)構(gòu)。它們都包含源極(Source)、漏極(Dr...
2024-02-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管Nand flashNOR flash 1497 0
與NAND Flash相比,NOR Flash具有較低的存儲(chǔ)密度和較高的成本,但具有較快的讀取速度、較低的讀取延遲和較好的隨機(jī)訪問(wèn)性能。
2024-02-19 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)芯片非易失性存儲(chǔ)器 3600 0
FLASH閃存是一種非易失性?xún)?nèi)存,閃存在沒(méi)有電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù),其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤(pán),這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類(lèi)便攜型數(shù)字設(shè)備的...
i.MX RT500/600系列上串行NOR Flash雙程序可交替啟動(dòng)設(shè)計(jì)
i.MX RT500/600系列上串行NOR Flash雙程序可交替啟動(dòng)設(shè)計(jì)
如何選擇存儲(chǔ)器類(lèi)型 存算一體芯片發(fā)展趨勢(shì)
閃存存算方面,目前主要路線是基于NOR flash(不是目前優(yōu)盤(pán)所用的閃存類(lèi)型),多數(shù)情況下存儲(chǔ)容量較小,這使得NOR flash單片算力達(dá)到1 TOP...
什么是串行Nor Flash?串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性
引言:串行Nor Flash是一類(lèi)使用比較多的存儲(chǔ)器件,在特殊應(yīng)用場(chǎng)景中具有不可替代的地位,本節(jié)是數(shù)字存儲(chǔ)器件系列第一節(jié),介紹串行Nor Flash的結(jié)...
NOR FLASH和NAND FLASH基本結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)介紹
非易失性存儲(chǔ)元件有很多種,如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH,前兩者已經(jīng)基本被淘汰了,因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管EPROMNand flash 2858 1
普冉“存儲(chǔ)+”戰(zhàn)略下,閃存與MCU互為優(yōu)勢(shì),2024上半年實(shí)現(xiàn)高增長(zhǎng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)2024年上半年,普冉半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.96億元,同比增加91.22%,實(shí)現(xiàn)扣非前凈利潤(rùn) 1.36億元,同比增長(zhǎng)273.7...
【GD32H757Z海棠派開(kāi)發(fā)板使用手冊(cè)】第十一講 SPI-SPI NOR FLASH讀寫(xiě)實(shí)驗(yàn)
通過(guò)本實(shí)驗(yàn)主要學(xué)習(xí)以下內(nèi)容: ?SPI簡(jiǎn)介 ?GD32H7 SPI簡(jiǎn)介 ?SPI NOR FLASH——GD25Q128ESIGR簡(jiǎn)介 ?使用GD32H...
2024-06-04 標(biāo)簽:單片機(jī)mcu開(kāi)發(fā)板 786 0
佰維存儲(chǔ)推出自研工規(guī)級(jí)寬溫SPI NOR Flash產(chǎn)品—TGN298系列
近日,佰維存儲(chǔ)(股票代碼:688525)推出了自研工規(guī)級(jí)寬溫SPI NOR Flash產(chǎn)品——TGN298系列。
武漢新芯啟動(dòng)IPO輔導(dǎo) 長(zhǎng)存集團(tuán)持股68%
武漢新芯集成電路股份有限公司(下稱(chēng)“武漢新芯”)日前在湖北證監(jiān)局披露IPO輔導(dǎo)備案報(bào)告,預(yù)示其將正式推進(jìn)公司上市進(jìn)程。
兆易創(chuàng)新GD32A503車(chē)規(guī)級(jí)MCU榮獲“2024汽車(chē)芯片優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)”
2024北京國(guó)際汽車(chē)展覽會(huì)如約而至,眾多汽車(chē)行業(yè)精英匯聚一堂,共同探索未來(lái)出行的創(chuàng)新之路。
兆易創(chuàng)新今年Q1凈利超2023全年,NOR Flash出貨量已超212億顆
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/劉靜)近日,知名存儲(chǔ)芯片廠商兆易創(chuàng)新發(fā)布《2023年年度報(bào)告》以及《2024年第一季度報(bào)告》。存儲(chǔ)芯片行業(yè)在經(jīng)歷一段時(shí)間的市場(chǎng)波動(dòng)...
2024-04-25 標(biāo)簽:存儲(chǔ)芯片NOR flash兆易創(chuàng)新 3141 0
愛(ài)芯元智AX620Q榮獲“熱門(mén)IC產(chǎn)品獎(jiǎng)項(xiàng)-年度最佳AI芯片”
3月29日,2024國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)(IIC Shanghai)在上海張江科學(xué)會(huì)堂成功舉辦。
SGS在上海SEMICON 2024展會(huì)上為普冉股份頒發(fā)AEC-Q100認(rèn)證證書(shū)
2024年3月20日-22日,SEMICON China(國(guó)際半導(dǎo)體展) 2024在上海新國(guó)際博覽中心舉辦。
2024-03-21 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)EEPROMSGS 865 0
2024年1月,預(yù)計(jì)NOR Flash價(jià)格將上漲5%
NOR Flash是一種基于NOR門(mén)結(jié)構(gòu)的閃存,NOR是邏輯門(mén)電路中的“或非”門(mén)。NOR Flash具有并行訪問(wèn)結(jié)構(gòu),這意味著每個(gè)存儲(chǔ)單元都有一個(gè)地址...
NOR Flash行業(yè)將迎來(lái)拐點(diǎn) 明年可能供不應(yīng)求
在這一氛圍下,NOR Flash行業(yè)已開(kāi)始醞釀漲價(jià)。臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)今日有消息指出,預(yù)計(jì)NOR Flash將接棒啟動(dòng)存儲(chǔ)芯片新一輪漲價(jià)潮,預(yù)計(jì)明年1月起先漲...
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